了解工艺技术和性能的全貌

我们的报告解释了技术实现在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报和发现使用的证据,向技术、法律和专利专业人员证明专利价值。

我们的晶体管和表征分析允许您:

  • 了解工艺技术和性能的全貌
  • Understand the process, see the performance, spot the trends
  • Universal curves for IOFF vs. ION and IOFF vs. ID, LIN; transfer and output characteristics for each universal curve data point

晶体管表征

晶体管表征

TechInsights的晶体管特性报告分析了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性

该报告包括在-20,25°C和80°C下测量的关键性能基准的图表和列表测量。25°C单温报告也可用。

NMOS和PMOS晶体管的特定直流分析基准包括:

  • 线性(VT,LIN)和饱和(VT,SAT)阈值电压
  • 驱动电流(ID,SAT)
  • 断线电流(ioff)和栅极漏电流(Ig)
  • 阈下摆动
  • 跨导
  • 穿通电压(VPT)
  • Process gain factor (k)
  • IDS与VGS图形
  • IDS与VDS图形

支持数据包括:

  • Package photographs and package X-ray
  • 模具照片和模糊标记
  • NMOS和PMOS晶体管的SEM形貌图
  • 显示NMOS和PMOS栅极长度的TEM横截面图像

技巧网络研讨会:技术分析NAND闪存和SSD设备-内部探测,波形分析,等等

本演示文稿探讨了NAND闪存和SSD设备的一些创新领域,并概述了我们用于分析这些创新的各种测试方法。


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