发布时间：2019年12月12日
贡献作者：Sinjin Dixon Warren博士
图1 Oppo Reno Ace内部（PCLM10型）
随着OPPO Reno ACE提供的VCA7GACH充电器能够驱动6.5A和10 V，以最大为65 W的电源，显然允许Reno ACE收取费用半小时. TechInsights已获得样品，并对充电器进行了测试详细拆卸分析.
图2显示了VCA7GACH USB-C充电器。充电器为5.5 cm x 5.5 cm x 3.1 cm，功率密度为11.4 W/in3，明显高于苹果A1720充电器，可与电源RP-PC104USB-C充电器。
图2 Oppo Reno Ace Super V00C充电器（型号VCA7GACH）
图3显示了VCA7GACH充电器内主PCB的正面和背面。各种电感器和电容器出现在PCB的正面，而电源集成SC1923设备则出现在PCB的背面。VCA7GACH中IC的完整列表如表1所示。
图3 Oppo Reno Ace Super V00C充电器主PCB
| 制造商 | 零件号 | 突出的标记 | 设备类型 |
|---|---|---|---|
| 台湾半导体公司 | 高铁2毫安 | - | 二极管 |
| 电源集成公司 | SC1923C公司 | SC1923C公司 24M8M046A型 （徽标） |
GaN电源IC. |
| 英飞凌 | BSZ0902NS型 | 0902纳秒 HAC927. （徽标） |
功率MOSFET |
| 阿尔法和欧米茄 | AON6220型 | （徽标） 6220 GV9T1S型 |
N沟道场效应晶体管 |
| 重庆平威企业有限公司 | PS10100LT系列 | PS10100LT系列 PYJGIBC公司 |
电源整流器 |
| 线性技术 | LT9B32. | 810英镑 鲁中尉 +9B32型- |
桥式整流器 |
表1 Oppo Reno Ace充电器设计获胜
对powerintegrations SC1923器件的X射线分析表明，它包含四个独立的模具，安装在传统的塑料引线框架表面贴装封装中。脱封显示设备包含表2中列出的四个模具。DX101C1和DX121C是栅极驱动ASIC管芯，SB190C是GaN功率FET，DX120B3是Si-MOSFET，驱动GaN功率FET共源共栅组态。
图4电源集成SC1923C封装X射线
| 制造商 | 零件号 | 突出的标记 |
|---|---|---|
| 电源集成公司 | DX101C1型 | [logo]商标 （m）（c）2018 DX101C1型 |
| 电源集成公司 | SG190C. | [logo]商标 （c）（m）2018 SG190C. |
| 电源集成公司 | DX120B3 | DX120B3 [logo]商标 2017 （c） （米） |
| 电源集成公司 | DX121C型 | [徽标] TM（m）（c） 2018 DX121C型 |
表2电源集成SC1923模具
图5电源集成SG190C GaN芯片
图6:SG190C GaN在蓝宝石晶片上的电源集成总体结构
TechInsights现已在三种不同的USB充电器设备中识别出电源集成设备。安克尔30W动力港钯原子1发现充电器包含带有SG250F Gan-On-Sapphire Die的电源集成SC1933C设备。发现Aukey PA-U50充电器的一个版本包含电源集成Inn3166C设备。Inn3166C不含GaN的模具。好奇地，早期版本的奥基PA-U50被我们的人发现了实验室包含纳维NV6252设备。最后，这里讨论的VCA7GACH包含SG190C GaN基器件。
TechInsights最近购买了电源集成的样品INN3370C-H302-TL酒店InnoSwitch3 Pro系列数字可控离线CV/CC QR反激式开关IC。对包装X射线图像进行比较，然后对该设备进行脱封，结果表明，在Oppo Reno Ace的VCA7GACH充电器中发现的SC1923与我们采购的INN3370C-H302-TL相同。
电力集成市场战略显然取得了成效，他们几乎可以肯定是基于GaN的设备在USB适配器市场应用的领导者之一。十月，他们声称已经通过了一个里程碑，已经向Anker运送了100多万个GaN基设备。
定期、简洁地分析新兴的功率过程半导体产品
基于事实的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）和硅（Si）的创新，竞争利用硅（Si）的新出现功率半导体技术分析。
