快速查看三星128L(136T)3D V-NAND-内存TechStream博客

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Jeongdong Choe,高级技术研究员
Choe Jeongdong博士是TechInsights的高级技术研究员,在DRAM、(V)NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成方面拥有近30年的经验。他定期向TechInsights Memory用户提供博客内容。

2020年10月8日

三星最终发布了128L(136T)的V6 V-NAND,其中每个垂直NAND串的总门数为136(136T)。与三星V5 92L V-NAND相比,共增加了36个堆叠门。三星980 Pro PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD产品使用其新一代3D NAND 128L。历史上,三星在Pro SSD系列中采用了MLC NAND,例如,970 Pro SSD采用MLC(64L),而Evo和Evo+则保持TLC(64L和92L)。然而,980 Pro转为TLC(128L)。

256Gb模具平面图(图1)显示了一个排成一行的四平面模具,这对于3D NAND模具设计来说是独一无二的。136个栅极(包括5个虚拟WL和3个堆叠用于NAND串和垂直通道(VC)孔的选择器)通过单个VC蚀刻工艺集成,这意味着它们保持1层(甲板)结构,具有非常高的纵横比(HAR)等离子蚀刻工艺,不同于KIOXIA/WDC、SK Hynix和Micron/Intel的2层工艺。三星对GSL通道区和W CSL保持SEG过程。

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