联想将新的Snapdragon带到市场上

发布日期:2019年2月20日
Contributing Authors: Stacy Wegner and Daniel Yang

联想Z5 Pro GT

联想Z5 Pro GT

从1数到22万需要多长时间?可能超过32秒,但据报道,32秒是联想销售22万部备受期待的联想Z5 Pro GT旗舰手机的时间。幸运的是,我们自己也有一些好运气。我们能够得到我们自己的Z5专业燃气轮机手,我们可能会打破许多人的心谁试图买一个,因为我们继续做我们的手机…我们拆掉了它。

联想旗舰是在新款Snapdragon 855平台上设计的一款6.39英寸无槽滑盖手机,配有四个摄像头,其中两个据传包括索尼图像传感器。从Z5 Pro GT的规格来看,它没有5G功能,但联想表示,他们将在今年晚些时候发布一款支持5G的后续Z5手机。

图1联想Z5 Pro GT主板

图1联想Z5 Pro GT主板

那么,这款新的Snapdragon 855处理器呢?高通公司去年在夏威夷举行的仅限邀请的Snapdragon大会上宣布了这款处理器,并在会上展示了5G网络,at&T和Verizon等运营商也在场。但正如我们前面提到的,这首联想Z5 Pro GT没有5G功能,这意味着联想可能正在利用新处理器的其他高级功能。

LPDDR4x–新一代已经到来

以下是三星64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-AGCL的芯片照片。我们已经确认,它有三星的第二代10nm级(1y)LPDDR4X芯片。

其他设计获奖者

在我们来看看新的Snapdragon之前,这里有一个其他设计获奖者的快速列表:

图2三星1y nm LPDDR4x芯片

图2三星1y nm LPDDR4x芯片

图3三星模具标记

图3三星模具标记

LPDDR4x–新一代已经到来

以下是三星64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-AGCL的芯片照片。我们已经确认,它有三星的第二代10nm级(1y)LPDDR4X芯片。

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

闪存

东芝THGAF8T1T83BAIR,256GB UFS 2.1,配备东芝64-L 3D NAND闪存芯片。

图5高通公司WCN3998

图5高通公司WCN3998

Wi-Fi/BT

令我们惊讶的是,我们发现了高通公司的WCN3998 Wi-Fi 6(802.11ax)和Bluetooth 5.0无线组合IC,据高通公司称,该芯片还支持数字调频。

图6恩智浦Q3304

图6恩智浦Q3304

NFC控制器

NXP赢得NFC插座。

图7高通SDR8150

图7高通SDR8150

收发器

与Snapdragon X24 LTE调制解调器配对的射频收发器是高通公司的SDR8150。它很可能是在14纳米FinFET上制造的,这是我们迄今为止看到的最先进的节点蜂窝收发器。

图8高通QET5100

图8高通QET5100

包络跟踪IC

联想Z5 Pro GT还有一款新的高通QET5100,这是高通公司推出的一款新的信封跟踪器IC。

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

高通Snapdragon 855

联想Z5 Pro GT是全球首款采用高通公司Snapdragon 855移动平台的量产智能手机。有趣的一点是:通常三星Galaxy S系列旗舰智能手机是第一款采用高通Snapdragon新平台上市的智能手机,尤其是针对美国市场发布的手机。

The Qualcomm SM8150 Processor was found on the bottom of the Package-on-Package (PoP) assembly which consisted of the new Samsung 8 GB LPDDR4x DRAM K3UH7H70AM-AGCL on top, and the Qualcomm Snapdragon 855 SM8150 on the bottom.

图10高通Snapdragon SM8150处理器-顶部

图10高通Snapdragon SM8150处理器-顶部

以下是Snapdragon 855 AP的包装标志。显示SM8150。

Figure 11 Qualcomm SM8150 Die Photo

Figure 11 Qualcomm SM8150 Die Photo

非常感谢我们的实验室col-sm-12 col lgleagues的快速周转,并为我们提供了AP/Modem芯片HG11-PC761-2的芯片信息和芯片照片。与三星10LPP晶圆厂Snapdragon 845芯片HG11-P7872-2相比,TSMC 7FF晶圆厂的芯片尺寸(密封)为8.48 mm x 8.64 mm=73.27 mm2,表示芯片收缩率为17.9%。

之前的Snapdragon 845、835和820处理器都分别基于三星的10LPP FinFET(FF)、10LPE FF和14LPP FF工艺技术。然而,今年的Snapdragon 855并不是由三星制造的,而是由台积电在7FF(7nm)工艺中制造的。

音频集成电路

音频赢家都去卷云逻辑与他们的CS47L35音频编解码器和CS35L41B音频放大器。

电源管理IC

乍一看,有三种高通电源管理IC:PM8150、PM8150A和PM8150B。

射频前端模块

我们找到了Qorvo QM77031和QM77033。当我们在撕裂中前进时,库尔沃可能会赢得更多的胜利。

定价怎么样?

在我们迫不及待地观看三星的开箱销售活动并关注三星Galaxy S10、Galaxy S10 Plus以及三星为全球准备的其他产品之前,我们与我们的成本经理Al Cowsky讨论了SM8150的“如果”情况,即使用较小的流程节点对市场的定价影响SM8150。

作为我们标准程序的一部分,我们计算了SM8150的引脚,测量了它的封装尺寸,甚至还测量了它的芯片面积。通过这些测量,我们估算了使用不同FinFET技术的处理器的价格:

流程节点 估计价格
Confirmed 7牛米 $73.18
万一呢 10牛米 $116.23
万一呢 14牛米 $133.94

这些估计假设随着封装尺寸的比例增加,模具尺寸线性增加到10和14nm。

展望未来

我们已经开始了Snapdragon 855的基本平面图分析,TechInsights将发布高通公司Snapdragon 855 AP/Modem芯片的数字平面图分析报告。有关分析的详细信息,请与我们联系,或登录TechInsights应用程序中的帐户,以了解报告的最新进展。

TechInsights预计,高通公司的Snapdragon 855将成为今年全球领先的旗舰智能手机的热门平台,尤其是将在即将举行的2019年世界移动大会上发布的许多智能手机。TechInsights的Stacy Wegner和Daniel Yang今年将再次出席2019年世界移动大会,所以请务必关注我们的博客和Twitter。

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