网络研讨会:商用存储设备中的ALD/ALE过程

商用存储器中的ALD/ALE过程

2018年内存产品制造商三星,海力士,东芝和微米引入64或72层3D-NAND器件,进入1倍一代DRAM设备。

这个presentation will examine some of the different structures we have seen through the evolution of these technologies, in particular the latest 3D-NAND and DRAM parts. We will also look at several historical applications of ALD/ALE technology that have been observed through reverse engineering. We will highlight the importance of ALD/ALE process in advanced logic devices. In many cases, the technology could not have advanced without the implementation of ALD technology.

拉杰什·克里希纳穆尔西

拉杰什·克里希纳穆尔西

高级分析师

rajeshkrishnamurthy是总部位于加拿大渥太华的逆向工程公司TechInsights的高级分析师。TechInsights分析了各种各样的设备,为Rajraybet正规么esh提供了一个独特的概述,让他了解了哪些技术能够进入半导体生产的真实世界。

拉杰什于1998年毕业于加拿大安大略省伦敦大学,获材料工程博士学位。拉杰什拥有20多年的分析员工作经验,专注于半导体工艺开发,以及半导体材料和器件的研发。他于2006年加入TechInsights团队。

网络研讨会按需举行

2020年10月28日星期三。。。

网络研讨会
  • 上午11点太平洋
  • 中午12点中心
  • 下午1点山地
  • 2pm Eastern

商业上可获得的存储器设备中的ALD / ALE过程网络研讨会

本次网络研讨会于2020年10月28日举行

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