Jeongdong Choe，高级技术研究员
Choe Jeongdong博士是TechInsights的高级技术研究员，在DRAM、（V）NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成方面拥有近30年的经验。他定期向TechInsights Memory用户提供博客内容。
Choe Jeongdong博士是TechInsights的高级技术研究员，在DRAM、（V）NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成方面拥有近30年的经验。他定期向TechInsights Memory用户提供博客内容。
2020年9月25日
TechInsights最终找到了雪崩40纳米pMTJ STT-MRAM器件，并对其进行了深入分析。STT-MRAM仍然是一种很有前途的新型存储器技术，具有非常理想的性能，包括非常高（超过20年）的耐久性。STT-MRAM设备已经开发并商业化，具有面内MTJ（i-MTJ）或垂直MTJ（p-MTJ）类型，来自许多MRAM厂商，如三星、索尼、Everspin、雪崩、瑞萨、台积电、UMC和英特尔（图1，MRAM/STT-MRAM技术和产品路线图）
在Renesas M3008204串行外围接口永久存储器（雪崩芯片标记如图2和3所示）上使用的STT-MRAM单元设计和结构显示了40 nm p-MTJ层，单元尺寸为0.032µm2。MRAM层位于M1源线之下，在Contact-1和Contact-2之间，与三星和Everspin的相比非常独特。表1显示了MRAM技术的简要总结和比较。
