1y DDR4 DRAM from Samsung, SK hynix and Micron

发布日期:2019年6月7日

三星LPDDR4X 17纳米1Y
三星LPDDR4X 17纳米1Y

三星DDR4 17纳米1Y
三星DDR4 17纳米1Y

微米MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4
微米MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4

前三大DRAM制造商(三星、SK hynix和Micron)在2017年和2018年推出了1x,达到了20nm以下。三星推出了1y,推出了DDR4/LPDDR4X,Micron推出了DDR4,实现了一个新的里程碑。

TechInsights最近一直在跟踪和分析几项1y纳米DRAM工艺节点创新。。。

三星

TechInsights对三星的解决方案进行了分析,该解决方案声称,这项创新“在保持4266兆比特每秒(Mb/s)的相同数据传输速率的同时,功率降低了10%。”

  • 三星LPDDR4X 17纳米1Y
  • 三星DDR4 17纳米1Y

微米

我们还在我们的实验室中获得了Micron的MT40A2G4SA-062E 8GB DDR4,并正在进行中对该部分的检查。

SK Hynix.

我们继续观看包含SK Hynix 1Y的第一个设备。

下载我们的DRAM分析概述,配有市场概览,DRAM技术路线图,注释模具图像,以及我们可以应用于这些产品的不同分析方法的轮廓。

1y DRAM solutions from Samsung, SK hynix and Micron

下载我们的1y DRAM分析概述,包括市场概述、DRAM技术路线图、带注释的模具图像,以及我们可以应用于这些产品的不同分析方法的概要。

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