UnitedSiC用他们的SiC JFET技术走了一条少人走过的路-电力半导体TechStream博客

辛金·狄克逊·沃伦
Sinjin Dixon Warren,高级流程分析师
Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师,拥有20多年的半导体分析经验,是电力电子分析的主题专家(SME)。他拥有多伦多大学化学物理博士学位;他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。

2020年10月8日

UnitedSiC是一家无晶圆厂碳化硅(SiC)供应商,由罗格斯大学的一个研究小组于1999年创立。虽然SiC电力电子市场的大多数供应商都在追求SiC MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)技术,但UnitedSiC选择了SiC结FET(JFET)技术的冠军。

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JFET方法的优点是非常低的导通电阻(RDSON)值。通常,JFET与低压MOSFET串联在一起,形成所谓的“共源共栅”结构。正如最近在电功率为了充分利用碳化硅技术,制造商们重新考虑了上世纪30年代的一个想法,即将真空管串联起来,形成一种性能优于任何一个单独组件的混合设备。这种技术被称为共源共栅,多年来在双极结晶体管和MOSFET器件中再次出现。

UnitedSiC采用SiC JFET技术,走的路更少

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