mm53d512m64dfl -046 1y nm 8 Gb LPDDR4晶体管特性

产品代码
tcr - 1912 - 801
发布日期
10/02/2020
可用性
发表
产品项目代码
MIC-Z21M
设备制造商
美光科技
订阅
内存- NAND & DRAM
通道
存储器- DRAM、SWD和SA晶体管特性
报告的代码
tcr - 1912 - 801
本报告介绍了微米技术mt53d512m64d4fll -046 LPDDR4 SDRAM Z21M模的意义放大器和字行驱动器区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电特性。

login or register as a guest.">查看目录

内存订阅

您需要的内存分析

巨额的前期研发投资要求客户拥有最新的、准确的竞争情报。首先要弄清楚在制定产品战略时所面临的挑战。