对新兴功率半导体产品进行定期、简洁的分析。
半导体行业正在开发新的功率处理技术，使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)更小、更高效、损耗更低、击穿电压更高。
这个领域的硅产品非常成熟，但我们继续看到值得注意的创新。这个基于订阅的服务为您提供了访问我们对这些前沿产品的分析。
可用功率半导体订阅
权力要素(PEF)
包括:
- 年度目标
- 10个PDF报告和支持图像
- 分析报道
- 设备指标和突出功能
- 包X射线和模头
- 扫描电镜平面图像和横断面扫描电镜图像
- 断面透射电镜图像和材料分析
- 分析管理
- 三年度分析师简报
- 年度专利概况
- 年度车间
- 实时更新
- 在项目工作发表之前获得其进展(PEF报告，分析师简报等)
碳化硅(SiC)工艺流程
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示流程架构，掩码列表和集成级流程步骤的报告（目标：每年4个）
- 流程全仿真(PFF)
- 详述PFA报告中提供的细节
- 布局GDS完全分解为过程层
- 提供的PDF报告是使用Synopsys进程资源管理器构建的
- 在Synopsys中操作报告数据(需要Synopsys许可证)
- 处理流程全仿真报告，支持图像（目标：每年4个）
- 分析师
- 设计技术交互分析
- 详细说明从晶圆导入到晶圆输出的过程集成
- 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
- 扫描电镜和透射电镜横断面和顶视图图像\层注释，具体流程模块，假设
碳化硅(SiC)平面图(PFR)
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析:带注释的延迟模照片、模使用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 封装和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15份报告/年
氮化镓（GaN）Placeplan（PFR）
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析:带注释的延迟模照片、模使用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 封装和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15份报告/年
可用的自定义服务
- 产品拆卸
- 电力电子产品拆卸与详细分析
- 电源流程流程
- 工艺流程仿真(工艺步骤、刀具类型、材料)
- 个案处理的工作范围;与我们讨论定制选项
- 包分析
- 详细封装分析，截面封装分析，SEM成像，SEM- eds材料分析
- 电气特性
- 传输特性（IDVG），输出特性（IDVD），RDSON，击穿电压
- 选择区电子衍射
- 氮化镓基外延层的tem - SAED
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