到2023年，全球数字存储设备市场预计将达到1410亿美元，这是由于通过数字服务处理的数据数量不断增加。这个市场包括用于存储、交换和检索数据的驱动器，如磁盘驱动器、光驱、固态驱动器，当然还有闪存驱动器。
市场驱动因素可以简单地表述，但不能简单地解决:我们希望在更小的空间内存储更多的数据，更可靠、更高效。这些看似相互冲突的需求继续推动数字存储领域的创新，例如最近9X-Layer系列的3D NAND存储产品。
继续关注3D NAND空间，我们发现或期待发现的最新产品有：三星92L 3D NAND、东芝96L 3D NAND、美光96L、YMTC 32L 3D NAND和SK hynix 4D（PUC）96L NAND。即使是产品描述也暗示了存储设备市场的行业领导者正在采取的各种方法。制造商正在使用不同的层数、不同的节点尺寸、不同的粘合和封装技术来创建解决方案，这些技术结合了增量修改，以帮助他们赢得下一个产品的竞争。
随着DRAM市场的持续繁荣，三星电子、SK海力士、美光半导体、南亚半导体等主要DRAM企业都在积极开发并推出下一代成功缩小规模的产品。前三家DRAM制造商已经进入了20纳米以下的技术节点，在2017年和2018年推出了1X纳米产品，如三星的1X和1Y LPDDR4X、DDR4和1X GDDR6，用于组件、移动和显卡应用程序。DRAM的缩减规模将在几年内继续下去。
在新兴的内存技术方面，我们继续监控一些技术及其主要开发人员，包括:
- MRAM, STT-MRAM (In-Plane MTJ, p-MTJ): EverSpin, Crocus, Avalanche Tech, Sony, TSMC, Samsung, Micron等
- PCRAM (XPoint):美光、三星、英特尔、IBM等
- ReRAM (OxRAM, CBRAM/M-ReRAM): Crossbar，松下，Adesto, SK hynix, TSMC等
- FeRAM: Cypress, Rohm Semiconductor, Celis, Kentron等。
在研发方面，供应商也在开发下一代技术，即256层和512层。TechInsights分析师Jeongdong Choe表示：“这是一种竞赛。”。“这是一场最高层数的比赛。”
-半导体工程
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