功率半导体元件订阅

权力要素(PEF)

包括:

• 年度目标
  • 〜10个pdf报告支持图像
• 分析报道
  • 设备指标和突出功能
  • 包X射线和模头
  • 扫描电镜平面图像和横断面扫描电镜图像
  • 断面透射电镜图像和材料分析
• 分析管理
  • 一年三次分析师简报
  • 年度专利概况
  • 年度研讨会
• 实时更新
  • 在项目工作发表之前获得其进展(PEF报告，分析师简报等)

碳化硅(SiC)工艺流程

包括:

• 工艺流程分析(PFA)
  • 显示过程架构、掩码列表和集成级过程步骤的报告(目标:每年4个)
• 流程全仿真(PFF)
  • 详述PFA报告中提供的细节
  • 布局GDS完全分解为过程层
  • 所提供的PDF报告是使用Synopsys Process Explorer构建的
  • 在Synopsys中操作报告数据(需要Synopsys许可证)
  • 具有支持图像的流程流完全模拟报告(目标:每年4个)
• 分析师
  • 设计技术交互分析
  • 通过晶片输出从晶圆的过程集成的详细说明
  • 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
  • 扫描电镜和透射电镜横断面和顶视图图像\层注释，具体流程模块，假设

碳化硅(SiC)平面图(PFR)

包括:

• PDF报告
  • 公司简介
  • 执行摘要
  • 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
  • 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘，晶体管栅极阵列边缘或模具密封，晶体管栅极阵列概述/细节
  • 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
  • 成本分析
• 文件夹的图片
  • 包和模具图像
  • 扫描电镜截面图像
• CircuitVision支持顶部金属和门级/基片图像
• ~15份报告/年

氮化镓(GaN)平面图

包括:

• PDF报告
  • 公司简介
  • 执行摘要
  • 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
  • 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘，晶体管栅极阵列边缘或模具密封，晶体管栅极阵列概述/细节
  • 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
  • 成本分析
• 文件夹的图片
  • 包和模具图像
  • 扫描电镜截面图像
• CircuitVision支持顶部金属和门级/基片图像
• ~15份报告/年

方案分析(包裹)

专注于尖端功率封装技术，包括SiC、GaN、功率管理ic (PMIC)、智能功率模块、IGBT、Si mosfet等。

• PDF报告(*内容可能因目标设备而异)
  • 公司简介
  • 执行摘要
  • 产品拆除概述
  • 打包照片和x光片
  • 模具照片
  • 光学和扫描电镜封装截面分析
  • 选定封装材料的SEM-EDS谱图
• 年度目标
  • 〜10个pdf报告支持图像
  • 8小时专家领域知识支持
• 分析师
  • 每年2次分析师简报

电源管理IC（PMIC）过程分析（PEF）

专注于pmic的结构和材料分析，发现市场领先的线性稳压器，开关稳压器，电压参考，控制器，电池管理ic等，并跨越应用范围从汽车，消费，工业，电信，计算，医疗等。

电源订阅的基础，电源管理IC (PMIC)过程分析提供:

• ID图像
  • 包照片和X射线
  • 包括在模具水平和PMIC的栅极电平的光学图像（来自后侧多图像）
• 带有样品位置的注释模具照片（SEM，TEM等）
  • 门电平样本的注释图像，详细说明主要电路模块，如逻辑，内存，电源设备等
• SEM -功率晶体管分析
  • 平面横跨电源晶体管的斜面
  • 功率晶体管模的横截面(穿过栅极)
• SEM控制电路
  • 控制器区域的横截面
• SEM-EDS -材料分析只得到结果，没有谱
  • 所有材料都是金属和电介质
• SMIM / SCM - 功率晶体管
  • 平面横跨电源晶体管的斜面
  • 功率晶体管区域的横截面(穿过栅极)
• TEM
  • 功率器件栅极氧化物的截面
  • 横截面+ TEM ED的连接区域，例如通孔，金属层与电介质之间的界面。
  • 隔离区的横截面界面例如SOI，沟渠或深掺杂井
• 突出特点和对比总结幻灯片
  • 介质层组成和厚度
  • 金属层的组成和厚度
  • 关键特征水平和垂直尺寸

时间表

• 每年约10份摘要报告和数百张高分辨率支持图像
• 获得正在进行的工作
• 3分析师简报/年
• 4小时专家支持