如果PC曾经是动态随机存取存储器（DRAM）行业的主要驱动力;现在，在这个空间中有一个更加多样化的市场推动创新。随着对更强大的设备的不断增加的需求继续构建，因此，高容量处理器，半导体和芯片组的可用性也是如此。智能手机，平板电脑，数据中心，汽车应用，以及IOT越来越多的IOT以及AI和机器学习的高带宽内存要求，都在记录行业利润背后。
预计2018年至2023年之间的CAGR将在2018年至2023年间体验28.70％。韩国，台湾，日本和中国的制造成功使亚洲定位为杰出的DRAM市场。
随着DRAM市场仍然蓬勃发展，所有主要的DRAM播放器如三星，SK Hynix，Micron和Nanya都渴望开发并释放他们的下一个新的成功缩小一代。前3名DRAM制造商已经跳进了Sub-20 NM技术节点，通过引入2017年和2018年的1x NM等产品，例如三星的1x和1Y LPDDR4X，DDR4和GDDR6，DRAM Down-Scaling将在几下继续年。
鉴于DRAM Cell TR工程和电容器结构提供有限的能力，进一步扩展到18或1A，主要的玩家可能希望采用新技术创新，如柱电电容器，高k电容器电介质，用于掩埋字线的双重工作功能层盖茨，低k介电垫片和空气间隙。
1T-DRAM或电容器DRAM产品有一段时间可能无法看到带有4F2电池设计的，但我们将在今年年底或明年年初看到商业市场的DDR5，LPDDR5产品。HBM2（三星，SK Hynix）和HMC2（微米）现在广泛用于GPU（AMD，NVIDIA）。一些新的中国DRAM公司 - 包括单一和CXMT - 已将其产品推出到市场，我们很高兴地分析三星的GDDR6
我们将继续监控此空间的创新，并调整我们的分析路线图，这些分析扫描/成本核算，架构，设计，工艺集成，功能测试，包装，结构，电路，晶体管表征和波形分析。
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