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我们的报告解释了在电子电路，软件和制造过程中使用技术实现。它们用于获得有关技术创新的智能，并找到使用证据，证明专利价值为技术，法律和专利专业人员。
我们的晶体管和表征分析允许您：
- 查看过程技术和性能的完整图片
- 了解过程，看表现，发现趋势
- 为IOFF与ION和IOFF对ID，LIN通用曲线;每个通用曲线数据点的传输和输出特征
TechInsights'晶体管特性报告提供了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性分析
该报告包括在-20,25°C和80°C下测量的关键性能基准的图表和列表测量。25°C单温报告也可用。
NMOS和PMOS晶体管的具体直流分析基准包括:
- 线性(VT,LIN)和饱和(VT,SAT)阈值电压
- 驱动电流(ID、坐)
- 断线电流（ioff）和栅极漏电流（Ig）
- 次阈值摆动（S）
- 跨导(通用)
- 穿通电压（VPT）
- 过程增益因子（k）
- IDS与VGS图形
- IDS与VDS图形
支持数据包括:
- 包照片和包X射线
- 模具照片和模糊标记
- NMOS和PMOS晶体管的SEM形貌图
- 显示NMOS和PMOS栅极长度的TEM横截面图像
在本次网络研讨会上，我们将介绍NAND闪存和SSD设备分析技术，包括内部探测、波形分析等
此演示文稿介绍了NAND Flash和SSD设备中的一些创新领域，并概述了我们申请分析这些创新的各种测试方法。
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