2021年3月23日
Jeongdong Choe博士Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用
我们刚刚从KIOXIA找到了一款具有96L BiCS4 NAND细胞结构的新XL-FLASH产品。据KIOXIA介绍，XL-FLASH是一种基于3D BiCS NAND架构和技术的极低延迟、高性能闪存。与三星电子的Z-NAND (Z-SSD)一样，XL-FLASH是为了弥补现有DRAM和NAND闪存之间的性能差距而设计的。这意味着XL-FLASH属于存储类存储器(SCM)。三星已经推出了一些Z-SSD产品，983 ZET和SZ985超低延迟应用，建立在改进的3D V-NAND设计单级单元(SLC)模式上。
KIOXIA XL-FLASH的主要特点包括128gb的模具、SLC模式、16平面模具设计、兼容FLASH协议和4KB的页面大小，以适应内存层次结构中的SCM应用程序。我们所分析的DapuStor H3900是企业SSD (eSSD)产品之一，Haishen3-XL，它是基于KIOXIA XL-FLASH技术。H3900 SSD用于SCM，如数据缓存和加速，内存数据库，人工智能和大数据，类似于英特尔Optane存储和三星Z-SSD的今天…
Jeongdong Choe博士，高级技术研究员
Jeongdong Choe博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体行业、DRAM、NAND/NOR FLASH、SRAM/Logic和新兴存储器的研发和逆向工程方面拥有近30年的经验。raybet正规么他在SK海力士和三星电子工作了20多年。他加入TechInsights，一直专注于半导体工艺、设备和架构的技术分析。他撰写了许多关于内存技术的文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND工艺/设备集成细节，以及新兴内存，如STT-MRAM, XPoint, ReRAM和FeRAM的设计和架构。他每季度生产和更新广泛分布的DRAM、NAND和新兴存储器的内存路线图。
