TechInsights裂缝打开STMicroelectronics Mastergan2 - Power Techstream博客

博客细节
博客细节2021年2月2日博客细节Sinjin Dixon-Warren

TechInsights破解了意法半导体大师2

TechInsights最近完成了对STMicroelectronics Mastergan1的完整分析。我们发现该设备包含两个相同的GaN系统模具,具有1017-W3V2P4模具标记,在带有栅极控制器的半桥配置中有线连接,具有 U1MEA 2019模具标记。根据STMicroelectronics.两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的RDS(ON)为150mΩ,标称值为650 V.我们的分析表明U1MEA栅极控制器用ST的0.35μmBCD6工艺技术制造。Mastergan技术目标应用是65 W Active Clamp反激功率适配器,如最近讨​​论的ST介绍

我们现在已经采购了STMicroelectronics Mastergan2的样本....


Sinjin Dixon-Warren,高级进程分析师

Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师,技术人员有超过20年的半导体分析经验,是一个主题专家(中小企业),用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

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