苹果iPhone8 Plus拆卸版
发布日期：2017年9月10日，更新日期：2017年10月11日投稿作者：Daniel Yang、Stacy Wegner、Ray Fontaine A11仿生应用处理器我们最初检查的iPhone 8 Plus A1897型号被确认包含带有模具标记TMHS09的A11仿生AP。A11是
成功消费数字成像产品中的使能技术综述（第3部分：像素隔离结构）
发布日期：2017年7月24日投稿作者：Ray Fontaine IISW 2017论文中讨论的第三个主题是概述我们在像素隔离结构中看到的趋势。这些结构对于智能手机摄像头中1.0µm至1.4µm代像素的性能至关重要。去
成功消费数字成像产品中的使能技术综述（第2部分：叠层芯片图像传感器）
在IISW论文提交截止日期4月的时候，我们还没有收到索尼Xperia XZs 3层叠动眼摄像机。这项技术的发展已经在2017年的ISSCC上宣布，我们确实及时得到了结果
三星18nm DRAM单元集成：QPT和更高的均匀电容high-k电介质
发布日期：2017年6月14日投稿作者：三星公司高级技术研究员蔡正东已开始批量生产其首款10nm级DRAM产品，我们借此机会分析并将其与前几代25nm和20nm DRAM产品进行比较。在我们的分析中
成功消费数字成像产品中的使能技术综述（第1部分：PDAF）
发布日期：2017年6月13日投稿作者：Ray Fontaine今年的IISW是本次两年一度会议的十周年纪念，与TechInsights出席研讨会的十周年纪念相对应。Don Scansen于2007年以半导体洞察的名义出席了会议，并发表了演讲
英特尔Optane的内存/选择器元件™ X点存储器
发布日期：2017年6月7日投稿作者：Choongdong，高级技术研究员图1。TechInsights继续对英特尔OptaneTM XPoint内存的工艺、单元结构和材料分析进行内存密度比较。我们发现Intel OptaneTM XPoint
SK海力士21纳米DRAM单元技术:第一代和第二代的比较
发布日期：2017年6月5日投稿作者：Die Photo SK hynix高级技术研究员Choongdong去年先后开发了第二代21纳米DRAM技术。21纳米第一代的低产量和可靠性问题，意味着其新的第二代21纳米DRAM单元技术
Intel 3D XPoint Memory Die Removed from Intel Optane™PCM (Phase Change Memory)
发布日期：2017年5月18日投稿作者：Choongdong，高级技术研究员图1:Xpoint内存封装图2:Xpoint内存芯片（16 GB）TechInsights最近收购并拆除了Intel OptaneTM M.2 80mm 16GB PCIe 3.0，并在封装中发现了一个3D X点内存芯片。这是
英特尔3D XPoint
2015年8月，英特尔和美光公布了3D XPoint技术，创造了25年来第一个新的内存类别。当英特尔宣布基于3D XPoint技术的存储产品Optane品牌时，它将首先以新的高价线进入市场
索尼IMX400三层堆叠（Exmor RS）CMOS图像传感器
发布日期：2017年5月11日索尼移动在2017年2月的世界移动大会上宣布推出Xperia XZs。Xperia XZs采用1/2.3英寸光学格式、19 Mp分辨率、Exmor RS“运动眼”摄像头，提供960 fps视频和预测捕获。超慢动作功能是由