2017年5月18日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
图1:Xpoint内存包
图2:Xpoint内存模块(16gb)
TechInsights最近收购并拆除了一个Intel OptaneTM M.2 80mm 16GB PCIe 3.0，并在包中发现了一个3D X-Point内存芯片。这是英特尔和美光的第一款商用3D Xpoint产品。英特尔3D X-Point内存包尺寸为241.12毫米2(17.6毫米x13.7毫米)和一个单一的x点记忆体模。3D X-Point内存模具尺寸为206.5毫米2长16.16毫米，宽12.78毫米。该芯片的存储效率为91.4%，高于三星3D 48L V-NAND(70.0%)和英特尔/美光3D FG NAND(84.9%)。3D Xpoint Memory的内存密度为0.62 Gb/mm2低于商用2D和3D NAND产品(2.5 Gb/mm2东芝/SanDisk和三星3D 48L TLC NAND, 1.28 Gb/mm2适用于Toshiba/SanDisk 2D 15nm TLC NAND)。但是，与DRAM产品相比，3D Xpoint的密度是相同20nm技术的DRAM产品的4.5倍，是三星电子1x nm DDR4的3.3倍。Xpoint Memory产品为WL和BL使用20 nm技术节点，0.00176µm2大约是DRAM单元大小的一半。这是由于可堆叠的存储单元和4F2而不是6F2用于存储单元阵列设计。
产品信息:英特尔3D XPoint分析报告
本产品概要总结了我们打算构建的可交付成果，以及关于该部件的技术相关性的一些附加评论。
图3:x点存储阵列x截面SEM和TEM图像
Intel Xpoint Memory是一种PCM (Phase Change Memory)，具有金属4和金属5之间的双存储选择堆叠存储单元。gst基材料用于存储，而As(砷)掺杂的硫系材料(Se-Ge-Si)用于选择器，As可能用于抑制结晶。这可能是一种Ovonic阈值开关(OTS)结构。我们发现3D Xpoint存储层被放置在金属4和金属5之间，并与金属4上的几个选择器接触插头连接。我们将更深入地挖掘设备，以发现更多的创新技术，我们将在不久的将来与你们分享。
