Apple iPhone 8 Plus拆解

应用处理器

iPhone 8 Plus最初检查的A1897模型被确认为包含带有模具标记TMHS09的A11仿生AP。A11是Package（POP）的包装，带有Micron MT53D384M64D4NY 3GB移动LPDDR4X SDRAM。模具尺寸（密封）为87.66毫米²，与A10相比，表示30％的模具缩小。公告中AP的最大新功能是专用的“神经发动机”，主要用于iPhone X上的面部ID，但是作为推理引擎，也可以用于改善Siri以及AR应用。这应该是近年来Apple多AI启动公司收购的Apple定制设计。虽然此推断的核心可能无法在iPhone 8中充分利用，但我们不必等待iPhone X开始分析和延迟它，因为更深入地看看IP。

A11详细信息：

• 与A10相比，30％的模具区域收缩
• 大块保持这种趋势：CPU1较小30％，GPU小40％，SDRAM接口较小较小40％
• A11上有更多的CPU2比A10在A10上（他们现在使用4个小核心，并且在它们仅使用2之前）。第一次注意到我们注意到了A10
• 在相对的数字中，他们非常相似：CPU大约需要15％，GPU大约需要20％，SDRAM接口大约需要8％
• GPU与常见逻辑保持相同的6核GPU
• 块的一般位置与A10引人注目相似

到目前为止，A10的最大区别是NPU的添加。但它真的是npu吗？如果您有兴趣获得答案，请联系即将到来的Apple A11仿生应用处理器数字功能分析报告（FAR-1709-802）的技术。

董事会

双后朝戴相机（12 MP广角和12 MP长焦）

双相机模块尺寸为21.0 mm x 10.6 mm x 6.3 mm厚。基于我们的初始X射线，它看起来广角相机使用光学图像稳定（OIS），而长焦摄像机没有（与iPhone 7 Plus相同的配置）。

广角索尼CIS的芯片尺寸为6.29 mm x 5.21 mm（32.8毫米²）。这与32.3毫米相比²iPhone 7的广角CIS的芯片尺寸。我们可以确认1.22μm像素间距。我们注意到一种新的相位像素模式，但大消息是缺乏对应于硅通孔（TSV）阵列的表面伪影，我们已经看到了几年。对模具照片的肤浅审查建议它是一个常规的后照射（BSI）芯片。但是，我们已确认它是一个堆叠（Exmor RS）芯片，这意味着混合粘合在Apple相机中首次使用！

我们可以在索尼EXMOR RS TRACKOTO CIS上确认1.0μm像素间距和表观混合粘合，因为我们在广角芯片上看到。芯片尺寸为6.29 mm x 5.21 mm（32.8 mm²）。

7 MP正面相机

面向前置的相机模块尺寸为6.8 x mm x 5.8 mm x 4.4 mm厚。

面向前置的索尼CIS模具尺寸为3.73 mm x 5.05 mm（18.8毫米²）并且具有1.0μm的像素间距。两者都是指标与iPhone 7的前面的相机对齐，但我们还指出了缺乏TSV，所以我们将在做更多的工作来探索这个Exmor Rs模具上的混合粘合。

射频收发器

收发器是新英特尔TRX，PMB5757。将英特尔PMB5757 RF收发器的模具照片与Iphone 7/7 Plus中使用的先前PMB5750进行比较后，Itel似乎已经重新使用了上一部分的大部分芯片。除了左列和底行的重复细胞的小变化之外，两个模具处于相同的芯片尺寸，除了左侧列和底行的微小变化几乎相同。

RF前端的余额看起来很像iPhone 7，我们的iPhone 8 Plus中的获奖者的观察结果如下;信封跟踪转到Qorvo 81004，高频波动PAMID进入Broadcom 80666LC005，中频PAMID进入Broadcom 8056Le003，低频波动PAMID进入Qorvo 76041。

NFC控制器

我们在iPhone 8 Plus中找到了NXP NFC模块并不感到惊讶。这个具有包标记'80V18'。这与我们发现的PN67V不同iPhone 7 Plus.。

同样，我们的实验室已经有了控制器模具的模具标记为7pn552v0c。

从PloorPlan视图，iPhone 8 Plus中的NFC控制器芯片与Samsung Galaxy S8 / S8 Plus系列电话中的PN80T NFC控制器芯片几乎相同。iPhone 8 Plus NFC控制器安全元件模具也与Samsung Galaxy S8 / S8 Plus系列电话中的芯片非常相似。TechInsights先前分析了三星Galaxy S8 PN80T NFC控制器管芯和安全元件模具。PN80T NFC控制器管芯在180nm节点中的Fabbed，安全元件模具在40 nm Eflash中锻造。