Memory Technology 2020 and Beyond
NAND, DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势
这个网络研讨会由TechInsights提出
在这个网络研讨会上，Jeongdong Choe博士将详细审查最新的NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术，总结了由TechInsights编译的逆向工程分析。raybet正规么
这次演讲包括并排比较了几代内存技术，并深入讨论了最新的发展，包括:
- DRAM CELL将下降到SUB-12 NM，具有用于DRAM CELL PATTERNING的EUV采用
- 图形DRAM和高带宽存储器，如GDDR6（x）和HMB2（E）
- 三星、SK海力士、KIOXIA、西部数据、英特尔/美光等制造商竞相增加垂直3D NAND门的数量
- SK海力士的“147层”技术
- 英特尔的扩展XPoint的SSD和英特尔Optane持久内存
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网络研讨会概述。
在此次网络研讨会上，崔正东博士将通过TechInsights的反向工程分析，详细介绍最新的DRAM、NAND、新兴技术和嵌入式存储技术。raybet正规么
以下部分概述了将讨论的主题。
动态随机存取记忆体
DRAM Cell缩放到15 nm设计规则（D / R），而不是通过三星，微米和SK海绵等主要DRAM播放器产品化。现在，它们正在开发N + 1和N + 2世代所谓的1A（或1α）和1B（或1β），这意味着DRAM单元D / R可能能够通过EUV采用进一步向下缩小到Sub-12 NM对于DRAM CELL PATTERNING。由于图案化，泄漏和传感的保证金挑战，细胞设计缩小缩小正在变慢。
图形DRAM和高带宽存储器，如GDDR6（x）和HBM2（E）采用20nm或10 nm级DRAM技术节点。
智能手机上的相机模组通过在模组中加入低功耗DRAM模组，实现了三模结构。
在高级DRAM产品中可以看出，在高级介质材料，柱电容器，凹槽通道LV晶体管和HKMG外围晶体管等一些创新。
展望DRAM技术发展趋势和研发路线图，未来10年，DRAM规模将继续缩小。
NAND
随着主要的NAND制造商竞相增加垂直3D NAND门的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND设备。三星128L V-NAND (V6)、KIOXIA、Western Digital Company (WDC) 96L BiCS4、Intel/Micron 96L/128L和176L FG CuA、SK hynix 128L 4D NAND PUC等产品已经上市。我们将讨论这个领域即将出现的许多创新变化。
除了存储密度之外，3D NAND已应用于高速SSD，例如三星Z-SSD和Kioxia XL-Flash，具有多平面进行平行。
SK Hynix已达到147个垂直盖茨;我们将看看他们的解决方案和微米。
嵌入式和新兴
英特尔扩展了XPoint内存应用程序，不仅用于传统的SSD，也用于英特尔的Optane Persistent memory，尽管美光的X100 SSD目前只能用于Add-in Card (AIC)。
Everspin公司发布了许多pMTJ MRAM新产品理查德·道金斯一代，1GB /芯片@ 28nm），雪崩/瑞萨（40nm）和三星/索尼（28FDS）。对话框（以前的adesto）2n新一代的rairam (CBRAM)产品也在市场上。
路线图
本演示文稿中还包含，TechInsights提供当前和未来的DRAM，NAND和新兴/嵌入式内存技术分析，趋势和路线图 - 通常为我们的存储器用户保留的内容。
Jeongdong Choe博士
济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM，NAND / NOR闪存，SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业，R＆D和逆向工程经验。raybet正规么他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights，并一直专注于半导体过程，装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND流程/设备集成细节，以及STT-MRAM，XPoint，Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM，NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。
