采用EUV光刻的三星12Gb D1z LPDDR5

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博客细节2021年2月17日博客细节NAND & DRAM存储技术下载简报

采用EUV光刻的三星12Gb D1z LPDDR5

经过几个月的等待,三星电子在D1z DRAM上应用了极紫外(EUV)光刻技术。这是对三星电子Galaxy S21 5G系列等最新手机的DRAM技术的重大改变。S21 5G、S21+ 5G和S21 Ultra 5G,刚刚于2021年1月发布。EUV光刻在规模化和加速生产以及性能产量方面显示了制造优势。

我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1Z 12 GB和D1Z 16GB LPDDR5芯片;S21 5G,S21 + 5G和S21 Ultra 5G刚刚在1月2021年发布。12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM,而16 GB LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB随机存取存储器组件。

在三星D1z 12gb LPDDR5 DRAM生产中使用的极紫外(EUV)光刻工艺,与之前的D1y 12gb版本相比,生产效率提高了15%。D/R(设计规则)从17.1 nm (D1y)降低到15.7 nm (D1z)。12gb的模具尺寸也减少到43.98 mm2(D1z)从53.53毫米2(D1y),这导致更小的模具尺寸,比以前的版本缩小了约18%。

细节
项目 三星LPDDR5芯片
内存容量 8 Gb 12 Gb 12 Gb 16 Gb
技术节点 D1y D1y D1z D1z
母公司产品的例子 小米Mi 10 小米Mi 10 三星Galaxy
S21超5克
三星Galaxy
S21 / S21 + 5克
DRAM组件示例 K3LK3K30EM-BGCN. K3LK4K40BM-BGCN K3LK4K40CM-BGCP K3LK7K70BM-BGCP.
模具尺寸 39.12毫米2 53.53毫米2 43.98毫米2 61.20毫米2
位Densoty(死) 0.205 Gb /毫米2 0.224 Gb /毫米2 0.273 Gb /毫米2 0.261 Gb /毫米2
细胞的大小 0.00231µm2 0.00231µm2 0.00197µm2 0.00197µm2
D / R 17.1 nm. 17.1 nm. 15.7纳米 15.7纳米
EUV光刻应用 没有 没有 是的(BLP) 没有

三星D1y、D1z LPDDR5芯片8gb、12gb、16gb DRAM规格比较

三星使用最先进的D1Z技术与EUV光刻一起用12 GB模具用K4L2E165YC模具标记,而D1Z 16 GB LPDDR5 DRAM芯片具有K4L6E165YB模具标记显示非EUV光刻模具。最初用ARF-1(氩氟激光(ARF)浸没)和EUV(极端紫外线)光刻开发D1Z LPDDR5产品。现在,它们使用EUV SNLP(存储节点着陆垫)和BLP(位线焊盘)光刻生产所有D1Z LPDDR5产品。他们在DRAM行业和全球市场中应用了HVM(大批量制造)产品,尽管三星发布了1M的样本模块,其在2019年底应用了D1x EUV光刻。

Micron D1Z LPDDR4与三星D1Z LPDDR5芯片的竞争力DRAM规范比较

制造商追求的竞争指标是更高的钻头密度,更小的模具尺寸,先进的技术节点。通过使用D1z技术节点的EUV,与业内同行美光相比,三星取得了领先的指标,如下表所示:

设备 Micron D1z. 三星D1z 三星D1z
内存容量 16 Gb 12 Gb 16 Gb
技术节点 D1z D1z D1z
母公司产品的例子 mt53e1g32d2np - 046 _wt: (LPDDR4) K3LK4K40CM-BGCP(LPDDR5) K3LK7K70BM-BGCP (LPDDR5)
模具尺寸 68.34毫米2 43.98毫米2 61.20毫米2
位Densoty(死) 0.234 GB / mm2 0.273 Gb /毫米2 0.261 Gb /毫米2
细胞的大小 0.00204μm2 0.00197µm2 0.00197µm2
D / R 15.9纳米 15.7纳米 15.7纳米
EUV光刻应用 没有 是的(BLP) 没有

比较D1Z DRAM产品;微米与三星

*与Micron D1z电池设计相比,三星进一步缩小了电池尺寸(Samsung 0.00197µm20.00204 μ m2)和D/R(三星15.7 nm vs.美光15.9 nm)。


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