三星10 nm lpe过程

发布时间：2017年4月26日

据悉，三星Galaxy S8搭载的高通骁龙835处理器采用的是10纳米LPE工艺。10纳米LPE首次亮相的设备是高通Snapdragon 835和三星Exynos 9应用处理器。

我们已经开始对Samsung 10 NM LPE过程进行了分析。我们正在寻找Snapdragon 835和Exynos 9的地板计划。这些楼层计划将在我们的数字功能分析报告（DFAR）中提供。我们的高级CMOS Essentials（ACE）报告将涵盖10纳米进程。在此之后，我们查看标准库以了解我们的标准小区Essentials报告（SCE）中的路由效率，标准单元布局和设计。从这里，我们将从端到端开始前进到整个过程流程。晶体管表征也将在我们的TCR报告中进行。

三星10 nm lpe过程

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智能举措：渥太华的TechInsights收购了基于圣何塞的市场研究公司VLSI

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Micron 176L 3D NAND

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最新的SJ-MOSFET技术

最新的SJ-MOSFET技术，它仍然可以竞争宽带隙吗？

功率半导体技术最新的SJ-MOSFET技术，还能与宽带隙竞争吗?现在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)产品在市场上都有影响力，很容易认为已经没有了
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Micron DDR5 DIMM技术

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DRAM内存技术中断产品：第1个DDR5 DIMM哪个技术节点？DDR5是一个新一代的记忆！所有主要的DRAM播放器都向前移动到更快的DRAM DDR5。DDR5可提高电源管理（DDR4的1.1V与1.2V）为
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1α DRAM技术

DRAM记忆技术微米D1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！D1α！这是14纳米！在微米D1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计上快速查看后，它是德拉姆中最先进的技术节点。此外，这是第一个
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由于存储、移动和AIOT市场对内存芯片的需求强劲且不断增长，所有内存厂商都在努力提高密度/性能
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5G毫米波距离在全球范围内被采用仍有很长的路要走，但高通正在踩紧油门，尽管没有人真正追随他们。高通的高级董事之一
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2021年4月16日博士博士最初发表在三星D1Z LPDDR5 DRAM上，最后是EUV光刻（EUVL）！经过几个月的等待，我们已经看到三星电子应用极端紫外线（EUV）光刻技术为D1Z DRAM
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Everspin的新一代1千兆(Gb)自旋转矩转移磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)设备采用28纳米工艺，是世界上第一个1兆(Gb)自旋转矩转移磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)设备
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2021年3月23日，Abdullah Rahal TechInsights通过投资组合分析确定了一些BlackBerry的最高价值专利资产下载TechInsights的分析师研究了BlackBerry专利组合并分区了
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23. 三月
Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

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我们刚刚从KIOXIA公司找到了一款具有96L BiCS4 NAND细胞架构的新XL-FLASH产品。根据KIOXIA, XL-FLASH是非常低的延迟，高
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3月16日，2021年ZIAD Shukri动态视觉传感器 - 简要概述动态响无常传感器是异步成像仪。与人眼一样，它们旨在响应亮度的变化，没有“框架”才能捕获。DVS，个人
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18. 三月
高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

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三月ch 16, 2021 Dr. Jeongdong Choe Advanced 1 Gb 28 nm STT-MRAM products from Everspin Technologies We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive
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来自富士通的新和高级纪念日

2021年3月9日，崔正东博士:“富士通的新先进的ReRAM”“我们正在分析富士通半导体的新ReRAM产品。”富士通8mb MB85AS8MT是世界上密度最大的独立量产ReRAM产品。的
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GaN USB-C充电器市场在2021年加热

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2021年3月10日Sinjin Dixon-Warren电力技术GaN USB-C充电器市场在2021镓氮化镓（GaN）的高功率USB充电器用于智能手机，平板电脑和笔记本电脑是电力电子市场的不断增长的区域。TechInsights.
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2021年3月03日，彼得吉姆蒙电力技术博士商业高压碳化硅器件前景 - 摘要SIC电源器件有可能达到超过30千伏的电压额定值，但今天，SIC芯片制造商集中在一起
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网络研讨会：选定的成像器和传感器趋势和比较

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2021年3月3日图像传感器技术网络研讨会:选定的图像和传感器趋势和比较现在随需应变!本次网络研讨会的目的是分享我们2020年图像传感器设备要点(DEF)订阅年度精选内容
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03. 三月
LIDAR 101.

LIDAR 101 - 固态和机械楣

2月19日，2021年汽车技术LIDAR 101 - 固态和机械LIDARS 2020是LIDAR制造商的令人兴奋的一年。五个LIDAR公司（Velodyne Inc，Luminar Technologies Inc，Inviniz Technologies Ltd，Aeva Inc，以及欧姆斯特
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19. 2月
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网络研讨会:为电动汽车(EV)革命做准备

介绍：Stephen Russell＆TechInsights电力订阅为电子车辆（EV）革命状态的艺术电脑的革命状态全球推动绿色能源正在加速。十年前，电动汽车（EVS）是一个
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03. 2月
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2月03日，2021年2月逻辑破坏性技术下载简短的Qualcomm Snapdragon 888在Xiaomi Mi 11带来了一个新的5纳米进入市场，释放了Snapdragon 888，高通公司在竞争中与其他5纳米产品发布
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03. 2月
支持半导体行业的知识产权战略

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支持在半导体行业中的IP策略越来越复杂，芯片市场的复杂性使其比以往任何时候都更加困难，以监测发展，使逆向工程成为一个关键的过程反向的宽度raybet正规么
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索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到

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1月19日，2021年图像传感器中断技术索尼D-TOF传感器在苹果新的LIDAR Camera Apple的Lidar相机中首次观察到2020年代的iPad Pro;正如预期的那样，我们在10月份看到了iPhone 12 Pro中使用的相同部分。行业
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ipwatchdog.

网络研讨会:半导体知识产权在汽车供应链中的增值

在汽车供应链中半导体知识产权的增值今天，汽车不仅仅是运输设备。汽车是拥有娱乐系统、最先进的通信能力和尖端技术的热点
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拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器

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深入潜入光检测和测距技术中使用的主要部件。张贴在电子360中。
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USB-C电源交换适配器中的新兴GaN技术

网络研讨会：USB-C电源交换机中的新兴GaN技术

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3D闪存，176层！

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到目前为止，NAND Flash已经显示出白热阶段。不久前，存储供应商仍然“看到闪存的高平台上的风景”，有128层。
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内存技术2020及以后

网络研讨会：内存技术2020及以外 - NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势

Memory Technology 2020及以外的NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势本次网络研讨会由TechIngs介绍，Jeongdong Choe博士将详细审查最新的NAND，DRAM，新兴和
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02. 12月
网络研讨会：审查Apple iPhone 12的技术和财务影响

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考察苹果iPhone 12的技术和财务影响本文由TechInsights介绍了TechInsights和Bloomberg Intelligence分析师，因为它们分享了对苹果最多的技术和财务见解
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微载荷及其对器件性能的影响

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Semulator3D如何用于研究高级DRAM过程中的微负载和制造变量，该过程呈现出挥动伪造的AA轮廓。
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网络研讨会：市售存储器设备中的ALD / ALE进程

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商业上可用的存储器设备中的ALD / ALE进程2018 SAVE MEMORT产品制造商SAMSUNG，HYNIX，TOSHIBA和MICRON引入64或72堆叠的层3D-NAND器件，并进入1倍一代DRAM设备。这个演示会将
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28. 10月
iphone相机历史：iphone 12的替代和正常

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iPhone相机的进化历史也可以被视为手机开发的历史，即使iPhone没有完全遵循CIS技术趋势的推进。只是借此机会，还要通过最后一次
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21. 10月
网络研讨会：空间，电源，梁 - 缩短艰苦跋涉，以获得5G芯片设计和制造的边缘

网络研讨会：空间，电源，梁 - 缩短艰苦跋涉，以获得5G收发器设计和制造的边缘

空间，动力，梁缩短艰巨，以获得5g收发器设计的边缘，移动射频景观已经变得更具竞争力，引进了5克，辅以相关创新旨在解决各种各样的创新
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23. 九月
SK海力士128L 3D PUC NAND

SK hynix 128L 3D PUC NAND (4D NAND)

SK Hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们已被称为4D NAND。这是他们在单元（PUC）架构下的外围建造的第二个NAND一代;第一个是他们的96L NAND。在PUC架构中，外围设备
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14. 九月
网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

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商业上可用逻辑设备中的ALD / ALE进程2018的推出了一种新一代逻辑产品，以其10nm代微处理器的英特尔为单行，其次是TSMC和三星朝向的FinFET晶体管。
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26. 8月
定为半导体行业的60年及其变化的专利战略

60年的半导体行业及其改变专利战略

贡献：Arabinda DAS今天，半导体行业是一个庞然大物，其年销售收入跨越4000亿美元。在其60年的存在之上，这种成熟的行业已经尝试过各种型号，如集成装置
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Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

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STMicroelectronics and Sony似乎可以为Apple的最新旗舰iPhone提供四个筹码。许多其他历史的iPhone供应商也在最新的拆除时出现。
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26. 九月
特斯拉准备将麦克斯韦的干电极创新应用于电池制造

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发布时间：2019年2月7日贡献作者：Marty Bijman和Jim Hines图1 - 特斯拉的投资组合，包括Maxwell和Solarcity收购图2 - Tesla Portfolio Landscapes，显示了哪些发明起源于特斯拉，孤主性，以及
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通过专利加强创造更好的应用程序雷竞技会黑钱吗

雷竞技会黑钱吗专利加强是我们用来指的术语，以指在检察机会期间从专利期间实现最大的价值潜力 - 在甚至被授予专利之前。
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新冠肺炎

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