三星Galaxy S9相机拆卸

我们的实验室团队在Galaxy S9/S9+相机芯片的结构分析方面取得了良好的进展。虽然大多数细节是保留给我们的订阅者，我们确实想分享概述作为我们的后续撕裂博客．我们确认三星的后摄像头芯片再次采用了双来源技术，我们预计在今年秋季的下一代三星Note中还会看到S5K2L3(三星)和IMX345(索尼)。

我们一直在追踪Galaxy S系列相机中出现的多种颠覆性技术元素。图1总结了其中的一些发现，最新的亮点是由CMOS图像传感器(CIS)、图像信号处理器(ISP)和DRAM组成的3层堆叠成像器。如图所示，三星和索尼团队一直在以不同的速度推出各自的两层(CIS+ISP)堆叠解决方案。2014年，索尼从传统的背光配置转变为一个通过硅(TSV)芯片对芯片互连的两层堆叠成像仪。两年后，三星也推出了基于tsv的双栈产品。当时，索尼凭借从Ziptronix (Invensas/Xperi)获得的铜-铜直接键合互连(DBI)解决方案再次领先。最后，在2018年，两家供应商同步推出了3层堆叠芯片，尽管采用了本质上不同的制造技术。

来自Galaxy S9的索尼IMX345

IMX345一般结构与IMX400类似，来自岁峰索尼XPERIA XZS的世界上第一个3层堆叠成像仪。我们最初的IMX345调查结果显示索尼首选继续使用其第一代3层堆叠策略。首先为DRAM和ISP晶片实施晶片到晶片键合和基于TSV的互连流，后来使CIS变薄至薄层晶片。请注意，在IMX400中，我们希望在IMX345中，DRAM是包含内存阵列和CIS行控制电路的自定义解决方案。

三星LPDDR4 DRAM来自S5K2L3堆叠成像仪

图4显示了三星LPDDR4 DRAM芯片与RDL完整的照片。RDL将凹凸块的着陆点传送到沿DRAM脊柱位置的模键垫。模具尺寸为3.17 mm x 5.33 mm (16.9 mm)²)．

对我们来说，分析三星和索尼在Galaxy手机上的差异总是令人兴奋的。我们最新的设备基本报告将很快可用(S5K2L3: DEF-1803-803, IMX345: DEF-1803-804)，我们也几乎完成了我们的报告，从Galaxy S9 (S5K5F1: DEF-1803-802)。