联系我们 产品代码 TCR-2102-801. 发布日期 可用性 在创作中 产品项代码 SAM-K3LK4K40CM-BGCP 设备制造商 三星 设备类型 LPDDR5. 订阅 记忆 - NAND＆DRAM 渠道 内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征 报告代码 TCR-2102-801. •三星的新D1Z技术节点使用•BLP（SNLP）与EUVL应用•位密度为0.273 GB / mm2 您需要的内存分析 巨大的前期研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报。弄清楚首先开发产品策略的挑战。 学到更多 搜索我们的分析和网站 立即开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析 微米技术 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析 Macronix. 平面图 记忆 - NAND FloorPlan分析 三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 记忆 - 过程流程分析 三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分 三星 过程 记忆 - 过程流程分析 三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能 - 测试 内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析 三星 过程 记忆 - 过程流程分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素 三星 过程 记忆 - 过程
