联系我们 产品代码 MFR-2103-804 发布日期 可用性 在创作中 产品项目代码 SAM-K4C001K6MX. 设备制造商 三星 订阅 记忆 - NAND＆DRAM 渠道 记忆 - DRAM FloorPlan分析 报告代码 MFR-2103-804 •三星HBM2第2版。（Aquabolt）•8 GB TSV模具D2Y节点，模具设计与第1版不同。（Flarebolt）•2.4 Gbps（第1 ver 2.0 Gbps） 在指尖的一个独特的信任保险库中，触手可及的准确数据库 我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作和秘密。 学到更多 搜索我们的分析和网站 立即开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析 微米技术 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析 Macronix. 平面图 记忆 - NAND FloorPlan分析 三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 记忆 - 过程流程分析 三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分 三星 过程 记忆 - 过程流程分析 三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素 三星 过程 记忆 - 过程 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能 - 测试 内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征 三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析 三星 过程 记忆 - 过程流程分析
