巨大的上前研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报
我们的分析量化了未知，以帮助您做出明智的决策。我们可以确定为市场带来先进的内存将成本，研究潜在的市场挑战，以帮助您确定您的风险，我们帮助定义了您的失败策略。
提供了对您最大的投资所需决策所需的事实
让你用最好的产品更快地进入市场
赋予您发展市场份额和收入
DRAM功能分析（MFR）
包括：
- 执行摘要支持图像集
- 流程节点和铸造识别
- CRICITIT尺寸
- 功能块的总结
- 堆叠光学顶部金属和多模照片提供在CircuitVision。包括校准的测量和注释工具
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- 13-15报告/年
DRAM: SWD和Sense Amp晶体管特性
包括：
- 接收器表征报告（TCR）
- IOFF与IOF和IOFF与ID的通用曲线，林派生
- 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动器晶体管，在85°C的多个VDD上
- 5个NMOS和5个PMOS感测放大器接收器，在85°C的多个VDD上
- 对于每个通用曲线数据点
- 晶体管特性：ID，周六， 一世D，Lin.， 一世关闭，V.T，Lin.& V星星，ΔVGS.，G.m，ss，dibl
- 输出特性
- IOFF与IOF和IOFF与ID的通用曲线，林派生
- 分析报道
- 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
DRAM外围设计（MDP）：感测放大器，子字数驱动程序
包括：
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 电路识别放大器示意图
- 子字线驱动程序的电路示意图
- 延迟DRAM检测放大器的详细堆叠的SEM图像和在电路中传送的子字线驱动器。包括校准测量和注释工具
- 〜4报告/年
DRAM：电路分析
包括：
- 全电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2 - 地址路径
- 3 - 数据路径
- 4 - 控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 选择块电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 3 - 数据路径
- 5 - 电压发生器系统*
*根据事件和客户兴趣，TechInsights可能会产生1个选择块电路分析，包括块（1,3,5）或2选择块电路分析，包括块（1,3）
- 分析报道
- 1 /年
- 选择块1 /年
与非功能分析
包括：
- 分析报道
- 执行摘要支持图像集
- 流程节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠的光学顶部金属和聚芯片在循环中传递，包括校准测量工具
- SEM横截面成像
- 13-15报告/年
- 执行摘要支持图像集
NAND外围设计(MDP):页缓冲区，字行驱动程序
包括：
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 页缓冲区电路原理图:解码器、开关和控制器
- 字行驱动电路原理图:译码器和开关
- 详细的堆叠平面图SEM图像的斜角的NAND页缓冲器和电路传递的Worline驱动器。电路VISION包括校准测量和注释工具
- 〜4报告/年
NAND:电路分析
包括：
- 全电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2 - 地址路径
- 3 - 数据路径
- 4 - 控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 选择块电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 3 - 数据路径
- 5 - 电压发生器系统*
*根据事件和客户兴趣，TechInsights可能会产生1个选择块电路分析，包括块（1,3,5）或2选择块电路分析，包括块（1,3）
- 分析报道
- 1 /年
- 选择块1 /年
先进的过程
包括：
- 高级内存要素（AME）
- 专注于领先的边缘NAND和DRAM记忆技术
- 执行摘要支持的大型图像集
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- TEM EDS的TEM横截面分析
- 8报告/年
- 分析报道
- 技术趋势/路线图技术因素
- 设计技术交互分析
- 进程集成的详细说明
- 下一个节点的预测
- 3个简报/年
- 趋势分析
- 预测
- 1年度研讨会
- 4小时支持
流程流
*需要先进的过程订阅
包括：
- 过程流程分析（PFA）
- 显示过程，体系结构，掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
- 8内存/年
- 流程全仿真（PFF）
- 可以更新PFA内容
- 布局GDS完全分解为过程层
- 3D仿真
- Synopsys输入（路线级甲板）*
*需要Synopsys许可证来查看和修改 - 6记忆/年
- 分析报道
- 单元设计技术交互分析
- 通过晶片输出从晶圆的过程集成的详细说明
- 工艺步骤，材料，设备类型，单位过程
- SEM和TEM横截面和顶视图
- 层注释，特定过程模块，假设
- 趋势分析
- +4 HRS支持
嵌入式和新兴功能分析（MFR）
包括：
- 分析报道
- 专注于前沿嵌入式和新兴的记忆技术
- 执行摘要支持图像集
- 流程节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠的光学顶部金属和电压电压仪TM.
- SEM斜面
- SEM横截面成像
- 4报告/年
嵌入式和新兴过程分析
包括：
- 分析报道
- 专注于前沿的嵌入式和新兴存储器
- 执行摘要支持的大型图像集
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- TEM横断面与TEM EDS
- 技术趋势/路线图技术因素
- 设计技术交互分析
- 进程集成的详细说明
- 下一个节点的预测
- 4报告/年
- 趋势分析 - 1简介/年
- 预测
- 问答
最近的新闻和博客
