三星Galaxy S6拆卸

备受期待的三星Galaxy S6今天早上在我们的拆机实验室里出现了，这要感谢我们信任的物流专家的辛勤工作。我们推出了4G+版本的SM-G920I，三星声称这是世界上第一个八核64位操作系统。围绕这款旗舰智能手机，业界有很多议论，而我们此次拆卸的焦点将是Exynos 7420应用处理器。我们也将突出半导体设计的胜利，我们已经确定的其他设备。请继续关注我们实验室的最新分析结果!

三星Exynos 7420应用处理器

据报道，三星Exynos 7420应用处理器采用了三星的14纳米FinFET工艺。它是在实验室，一旦我们得到一个良好的横截面显示finfet，我们将张贴它!这就是三星目前所展示的。

这并不具体!同时，这是包装上的包装标记。

这种布局很不寻常——通常内存标记(SEC 507等)是在APU标记(7420等)上方的文本行中，而不是在对角相对的块中。

这让我猜测，7420可能是GLOBALFOUNDRIES生产的，而不是三星在韩国或得克萨斯州的工厂。ALB是Albany (NY)的缩写吗?批次代码中的G是GLOBALFOUNDRIES的缩写吗?这一切似乎都不太可能，但如果三星希望在S6的巨大销量预期下迅速启动销量，还有什么比使用三个晶圆厂更好的方法呢?在上个季度的分析师电话会议上，他们看起来非常有信心，他们预计到今年年底，14nm芯片将占LSI生产线容量的30%。还有很多关于高通使用三星14纳米工艺的传言。

现在我们有了一张模具照片和模具标记。

功能芯片的尺寸约为78mm ^2，与Galaxy S5中使用的骁龙芯片的118.3 mm^2和20nm的Exynos 5433芯片的113 mm^2的尺寸相当。如果连续7420年萎缩的5433,我们希望55 - 60毫米^ 2,但据报道,后端金属化堆栈是类似于20海里平面的过程,因此不太可能存在一个50%收缩(模拟地区从来没有收缩以及数字)。我们要等到看到平面图，才能知道这两个部分有多少共同的功能。

FinFETS还是不是FinFETS?

我们在实验室的工作人员做出了他们通常的非凡努力，让我们能够看到这个过程是什么样子的——在几个小时内，我们得到了手机内部，我们在显微镜下有一个脱封的部分和一个横截面样本。

Exynos 7420使用了11层金属，正如你可以从上面的模具密封横截面看到的。现在我们来看看晶体管。

我们有finFETS!这部分平行于鳍片，穿过门。触点的底部大致显示了鳍的顶部边缘，我们看到门被包裹在鳍的侧壁上，比触点看起来更向下。我们需要另一个与此正交的部分，来看看我们是否在英特尔使用的源管道中有epi增长的类型。

这使得三星成为第二个批量生产finfet的公司;他们已经成功地将他们的20纳米，第一代，门末，高k，金属门堆栈，并使其适应第一代鳍结构。我们将需要更详细的图像，以了解鳍是否有垂直或倾斜的侧壁，以及他们是多么接近英特尔模型，但这些将在我们完成我们的全面分析和发布我们的报告的时机成熟。

相机

据phonearena网站报道，Galaxy S6使用了索尼IMX240后置摄像头，而前置摄像头是三星S5K4E6。IMX240是一个16mp堆叠芯片，背照CMOS图像传感器，模具尺寸为7.09 mm x 4.68 mm (33.2 mm2)。Exmor RS传感器具有1.12 μ m间距像素和片上相位检测像素阵列，用于快速自动聚焦。

三星S5K4E6是一个5百万背光CMOS图像传感器，模具尺寸为5.31 mm x 5.87 mm (31.2 mm2)。像素的间距为1.34µm。

NFC控制器

在上周最初的拆卸博客中，我们说NFC控制器很可能是三星的设备。我们现在可以确认，它实际上是三星NFC控制器S3FWRN5P。三星表示，S3FWRN5P是该公司的第四代NFC解决方案，其射频性能显著提高，在卡模式和读取模式下分别比上一代提高了约100%和20%。S3FWRN5P。Chipworks已经制作了一些NFC控制器报告，包括NXP PN544/547/548、Broadcom BCM2079x和三星S3FWRN5。同时，Chipworks也拥有全球量产的消费类电子产品(包括联发科的MT6605、意法半导体的ST21NFCAH等)的NFC控制器设备，虽然我们还没有出具报告。