CXMT 2X纳米（22纳米）的8 Gb DDR4存储器设计边缘 - DRAM

以下是对CXMT CXDQ3A8AM-CG 2x奈米的8Gb DDR4 SDRAM一个CircuitVision分析报告。所述CXMT CXDQ3A8AM-CG管芯封装在其由Gloway技术YCT4U2666D19161C临DDR4模块提取的CXDQ3A8AM-CG组件。该CXMT CXDQ3A8AM-CG设计符合JEDEC DDR4的主要功能。这是从CXMT第一DDR4 DRAM产品fabbed和中国第一的8 Gb DRAM芯片。单元尺寸是0.0045 UM2具有0.102 GB / mm2的位密度。