联系我们 产品代码 电话：AME-1708-803 发布日期 14/12/2017 可利用性 出版 产品项目代码 SAM-K9CKGY8H5A-CCK0型 设备制造商 三星 设备类型 NAND闪存 订阅 内存-NAND和DRAM 渠道 内存-进程 报表代码 电话：AME-1708-803 本报告介绍了K9CKGY8H5A设备中的三星64层256 Gb 3D V-NAND闪存的高级内存要素的第1部分。 login or register as a guest.">查看目录 login or register as a guest.">下载示例报告 你需要的记忆分析 巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报。首先找出在制定产品战略时遇到的挑战。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 三星K4A8G085WD-BCTD 1Y DDR4 DRAM的电路视觉分析（完整）（带Cadence文件） 三星 电路 存储器DRAM电路分析 南亚20nm DDR4 4Gb D芯片内存布局分析 南亚科技公司 平面布置图 内存DRAM平面图分析 Micron 1y GDDR6X内存布局分析 微米技术 平面布置图 内存DRAM平面图分析 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）高级内存必需品 三星 过程 内存-进程 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）内存外设设计 三星 电路 存储器NAND外围设计 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 内存-进程流分析 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）工艺流程完整 三星 过程 内存-进程流分析 三星K9AFGD8U0C 128L NAND芯片内存布局分析 三星 平面布置图 内存-NAND平面图分析 KIOXIA 96L QLC 3D NAND闪存外围设计-NAND 桑迪克斯 电路 存储器NAND外围设计 三星1y LPDDR4X SDRAM（K3UH7H70AM-AGCL）8GB电路分析 三星 电路 存储器DRAM电路分析
