微米技术MT40A1G8SA-062E DDR4 SDRAM多温晶体管特征

该报告介绍了位于微米技术MT40A1G8SA-062E DDR4 SDRAM的I/O区域的外围NMO和PMOS晶体管的关键直流电气特性。MT40A1G8SA-062E是使用8的高速DRAMn- 取消架构以实现高速操作。8n-Prefetch体系结构与一个界面相结合，该接口旨在在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据单词。DDR4 SDRAM的单个读取或写操作由单个8组成n- 内部DRAM核心的宽，四局数据传输，两个相应的n- 位于I/O引脚处的宽且一半的锁定周期数据传输。