高通Snapdragon 835第一个10纳米

发布:2017年4月24日
特约作者:安迪魏

第一组三星Galaxy S8拆解,我们现在可以访问第一个soc“10 nm”类的生产技术。第一个10 nm随笔终点是高通Snapdragon 835年建立在三星LSI铸造10 nm液相外延技术。同时,三星的Exynos 8895同时被释放,我们希望找到这些在我们第二组三星Galaxy S8拆解。

高通Snapdragon 835死亡72.3毫米大小²。死金鱼草的大小相比,820年为113.7毫米²,这死规模缩小了36%。高通Snapdragon 835似乎是主要的收缩Snapdragon 820/821的家庭,在类似的IP块与升级,但没有添加了新的主要的IP块。然而,一个主要的cpu的变化。金鱼草820家庭使用一个非常大的区域2 + 2大个子利实现这似乎在移动应用程序处理器。我们怀疑Kyro是重用的核心设计高通的手臂服务器的野心。金鱼草835使用更多的太阳神4 + 4大个子利实现280年Kyro导数的手臂Coretex-A73 / A53实现我们已经看到960年HiSilicon麒麟。

这个重大变化在CPU倾斜整体模具尺寸减少,规模更重要的因素。然而,看着功能块有微小的变化,比如530年促促540 GPU MP单位,我们看到一些接近25%的面积规模。这是否表明真正的比例因子,或这是并发复杂性增加的结果利用面积规模,确定没有进一步分析是不可能的。评估三星10 nm LPE高通的实现技术,我们必须看起来非常详细的功能块级别的标准电池水平,衡量每门伸缩门密度收益和成本改进。对于一个准确的评估,我们发起了广泛的分析在功能块级,标准电池和利用率、过程分析和晶体管特性。我们可以比较这些分析对三星的14 lpe 14实际比例因子的垂直距离,规模、成本和性能差异。我们将比较分析图书馆英特尔、苹果、联发科,HiSilicon等等。

这是一个激动人心的时刻。在非常高的创新来克服物理扩展限制和维护传统的成本和性能,我们分析首先进入“10 nm”类技术。这是如何在14/16nm票价相比,所有的球员吗?特别是,该如何融入英特尔最近的挑战行业报告实际晶体管密度作为技术指标?更多的细节来作为我们分析开始到门的水平。