电子书:超越数据表:基准测试和测试SiC fet的性能

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超越数据表:对标和测试SiC fet的性能

Stephen Russell博士(主题专家，动力设备，TechInsights)的比较分析和见解合作伙伴:华威大学Peter Gammon教授，华威大学Layi Alatise教授和华威大学Jose Gonzalez-Ortiz博士

电气特性是一个具有重要价值的领域，因为它在设计中起着如此关键的作用，但仅从产品数据表中很难推断出准确的比较。

在这本电子书中，我们将为您带来我们对两种创新SiC fet的首次分析，它们的电气特性在相同的条件下得到了评估结果。使用一系列全面的测试条件并添加额外有价值的信息，我们深入研究了它们在压力下的稳健性，并远远超出了数据表。

由Stephen Russell博士合著-主题专家，电力器件，TechInsights(在宽带隙(WBG)器件制造和表征方面有超过15年的经验)，这本电子书深入研究了两种碳化硅器件及其电气表征。

下载超越数据表:SiC fet性能的基准测试和测试电子书以学习:

1. 东芝和UnitedSic fet器件的有源结构
2. 输出和传输特性
3. 带电流和温度的导通电阻
4. 第三象限操作和切换设置

电子书目录:

1. 背景/介绍
2. 器件有源结构
3. 输出特性
4. 传输特性
5. 带电流和温度的导通电阻
6. 3.^{理查德·道金斯}象限操作
7. 开关设置
8. 寄生的重要性
9. 总结

联系TechInsights代表安排演示东芝TW070J120B 1200 V 70 mΩ SiC MOSFET或UnitedSiC UJ4C075060K3S 750 V 60 mΩ SiC FET今天。