东芝集成二极管到SiC MOSFET中- Power TechStream Blog

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blog-detailsDecember 21, 2020blog-details斯蒂芬·拉塞尔

东芝集成二极管到SiC MOSFET中

每种碳化硅(SIC)制造商似乎有自己的FET制造方法。是平面,沟渠,JFET等。整个市场上没有主导设计。东芝最近发布的第2代1200伏SiC MOSFET包括另一个有趣的扭曲的设备结构。一个肖特基势垒二极管(SBD),VF为-1.35v,安装在芯片的顶部。这是对增强型MOSFET的补充,它的RDS(ON)为70mΩ,封装在TO-3P(N)封装中。

东芝已经提供了一系列SiC MOSFET和二极管,并已开始将其技术集成到模块中。这些甚至已经达到了自己的系统级产品的形式东芝G2020系列不间断电源(UPS). 他们指出,这减少了近50%的转换损耗相比,其硅IGBT的基础上的对等G9000。。。


斯蒂芬·拉塞尔,Senior Process Analyst -Power Devices

作为电力设备的主题专家,斯蒂芬·罗素一直了解整个行业的发展情况。策划整个平台的内容,包括研讨会、简报和推荐新产品以进行逆向工程分析。支持半导体和电子知识产权创新和货币化的公平市场。raybet正规么

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