混合键合从图像传感器扩展到逻辑、内存-图像传感器、逻辑和内存TechStream博客

迪克·詹姆斯
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迪克·詹姆斯是半导体行业近50年的老手,从事半导体器件的工艺开发、设计、制造、封装和逆向工程。Dick是TechStream博客内容的固定贡献者。raybet正规么

2020年9月25日

最近英特尔架构日Ramune Nagisetty透露,英特尔一直在开发混合键合技术,以超越已经投产的EMIB和Foveros技术。

这意味着三大芯片制造商中有两家已经推出了混合键合技术——台积电(TSMC)几年前宣布推出SoIC平台。三星是Xperi许可证持有人,但我们不知道这是否包括他们的DBI®混合键合。

混合键合技术在索尼从Ziptronix(现在是Xperi的一部分)获得Zibond技术许可后进入批量生产,并在大约五年前将其引入使用堆叠传感器和图像处理器的CMOS图像传感器(CIS)中。Zibond最初是一种专注于氧化物/氧化物界面的晶圆/晶圆键合技术,但后来发展到包括铜/铜直接键合,Xperi将其更名为直接键合互连(DBI®)。并不是所有的公司都使用Xperi的许可技术,因此使用铜/铜互连的面/面晶圆键合的行业术语变成了“混合键合”(HB)。现在几乎所有的堆叠式CIS制造商或其铸造厂都有HB可用。同时,该工艺已发展到提供>4µm的键间距和>2µm的焊盘直径。

混合键合从图像传感器扩展到逻辑、存储器

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