Everspin Technologies先进的1 Gb 28 nm STT-MRAM产品

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blog-details2021年3月16日blog-details崔正东博士

Everspin Technologies先进的1 Gb 28 nm STT-MRAM产品

我们期待已久的Everspin全新独立1千兆(Gb)自旋转矩转移磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)器件采用28纳米工艺,这是全球首款1gb STT-MRAM产品,也是Everspin的第四代MRAM技术。除了英特尔和美光XPoint内存产品外,大多数新兴的存储设备,如MRAM、ReRAM和FeRAM,都是用于嵌入式非易失性内存(eNVM),而不是离散的新兴存储芯片。

Everspin和GlobalFoundries (GF)自40纳米MRAM开发和制造工艺以来一直是合作伙伴。现在,我们TechInsights正在深入研究他们的28纳米1 Gb STT-MRAM技术细节。我们从EMD4E001G16G2中提取了1gb的STT-MRAM芯片,EMD4E001G16G2是Everspin最新和最高容量的独立STT-MRAM设备。ST-DDR4接口用于轻松集成到存储、计算和网络应用....


崔正东博士高级技术主任

Jeongdong Choe博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体行业、DRAM、NAND/NOR FLASH、SRAM/逻辑和新兴内存的研发和逆向工程方面拥有近30年的经验。raybet正规么他在SK海力士和三星电子工作了20多年。他加入TechInsights,一直专注于半导体工艺、器件和架构的技术分析。他撰写了许多关于内存技术的文章,包括DRAM技术趋势,2D和3D NAND工艺/器件集成细节,以及新兴内存,如STT-MRAM, XPoint, ReRAM和FeRAM设计和架构。他每季度制作和更新一个广泛分布的内存路线图DRAM, NAND和新兴内存。

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